文章名称:  SiCf／Ti复合材料界面反应区长大研究
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摘要:      研究了SiC/Ti复合材料界面反应区厚度与热暴露温度、时间的关系，确定了界面反应区的长大规律。结果表明，在同一温度下，界面反应区厚度与热暴露时间呈抛物线关系，反应区长大是扩散控制的，即x=kt1/2+x0，温度越高，界面反应区长大速度越快，反应区长大速率常数与温度之间遵循Arrhenius定律。
作者:  张国兴，石南林，雷家峰，张德志
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